Vzhledem ke zvýšenému množství přijatých objednávek může docházet k prodlevě při jejich zpracování, expedici i doručení. Ale neboj, jsme tu pro Tebe a snažíme se každou objednávku vyřídit co nejrychleji.
VBsemi SI2312CDS-T1-GE3 N-MOSFET, 20V 6A, SOT23
Kód: LA213027
Doprava zdarma
od 1 000 Kč
30 dní na vrácení
pro registrované
30 dní na vrácení
Pro registrované zákazníky
Doprava zdarma
Pro objednávky od 1 000 Kč
Prodejem to nekončí
Reklamace řešíme do 5 dnů
Rychlá expedice
Do 24 hodin
Detailní popis produktu
Univerzální MOSFET tranzistor s přechodem typu N vhodný pro digitální aplikace.
Specifikace:
- Napětí VDS: 20V
- Proud ID: 6A max.
- Napětí VGS(th): 0,45 - 1V
- Odpor v sepnutém stavu RDS(on): 0,028Ω při VGS = 4,5V, ID = 5,0A
- Pouzdro: SOT23
Součástí dodávky:
- 1ks VBsemi SI2312CDS-T1-GE3 N-MOSFET, 20V 6A, SOT23
Poznámka:
- Tento výrobek není samostatně funkčním celkem a může vyžadovat odbornou montáž.
- Fotografie výrobků jsou pouze ilustracemi na ukázku a někdy se mohou lišit od skutečného vzhledu předmětu. Avšak toto nemění jejích základní vlastnosti.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Polovodiče |
|---|---|
| Záruka: | 2 roky |
| Hmotnost: | 0.001 kg |
Buďte první, kdo napíše příspěvek k této položce.
Přidat hodnocení
Výpis diskuzí
T
maximální proud
Tomáš
maximální proud
Tomáš
Možná se pletu, ale datasheet hovoří o 6 A jako maximu pouzdra. Pro stálý proud uvádí 5 A po dobu 5 s.